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德州仪器可生产65纳米芯片 性能提高40%
 
慧聪网   2005年12月7日12时52分   信息来源:eNet硅谷动力    

    [导读]当地时间本周一,德州仪器公司声称,在首次发布一款无线装置后八个月,公司已经具备了65纳米制造工艺的资格。在制造技术上新的进步将有助于德州仪器公司大量制造高性能产品。  

  德州仪器公司表示,去年早些时候公司披露了互补金属氧化物半导体(CMOS)65纳米制造工艺的细节。今年三 月份,公司宣布已经开发出了无线数字基带处理器样品。 

  德州仪器公司指出,与公司先前的90纳米制造工艺相比,65纳米制造工艺能够使芯片上晶体管数量增加一倍,使芯片的设计面积缩小一半,使芯片性能提高百分之四十。 

  德州仪器公司在65纳米平台上实现了SmartReflex能力与性能管理技术,使移动设备面临的65纳米漏电功 耗难题迎刃而解。65纳米制造工艺能够提供定制的智能组合和适应硅、电路设计和软件设计解决方案,性能管理技术能够向小的工艺接点挑战。 

  德州仪器公司首席技术官Hans Stork在一份声明中说:“德州仪器公司模拟了我们自己内部的制造工艺,最初的产品将在德州仪器公司一个工厂生产,大规模生产在多个工厂和代工厂进行,我们将很快满足我们客户大量的需求”。

 
 
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[热门关键词]:德州仪器 65纳米 性能 
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